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NTMFS4121N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4000
5
3500
3000
C iss
T J = 25 ° C
4
QT
2500
3
Q GS
Q GD
V GS
2000
1500
2
1000
500
0
0 5 10
C oss
C rss
15 20
25
1
0
0
5
10 15
V DD = 15 V
V GS = 4.5 V
I D = 21 A
T J = 25 ° C
20
25
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
40
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
35
30
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
t r
t f
t d(off)
t d(on)
10
100
10
5
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
450
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
400
I D = 29 A
100
350
10
10 m s
100 m s
300
250
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
200
150
100
50
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs
Starting Junction Temperature
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